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W632GU6KB-12

W632GU6KB-12

Solo per riferimento

Numero parte W632GU6KB-12
PNEDA Part # W632GU6KB-12
Descrizione IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.318
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 18 - apr 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W632GU6KB-12 Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW632GU6KB-12
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W632GU6KB-12, W632GU6KB-12 Datasheet (Totale pagine: 160, Dimensioni: 5.667,86 KB)
PDFW632GU6KB12J Datasheet Copertura
W632GU6KB12J Datasheet Pagina 2 W632GU6KB12J Datasheet Pagina 3 W632GU6KB12J Datasheet Pagina 4 W632GU6KB12J Datasheet Pagina 5 W632GU6KB12J Datasheet Pagina 6 W632GU6KB12J Datasheet Pagina 7 W632GU6KB12J Datasheet Pagina 8 W632GU6KB12J Datasheet Pagina 9 W632GU6KB12J Datasheet Pagina 10 W632GU6KB12J Datasheet Pagina 11

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  • W632GU6KB-12 Distributor

W632GU6KB-12 Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso20ns
Tensione - Alimentazione1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore96-WBGA (9x13)

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Produttore

Adesto Technologies

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

16M (4096 pages x 512 bytes)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

85MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

8µs, 4ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-UDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-UDFN (5x6)

FT24C02A-KTG-T

Fremont Micro Devices Ltd

Produttore

Fremont Micro Devices Ltd

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

S34SL02G200BHI000

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

SL-2

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

2Gb (256M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

63-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

63-BGA (11x9)

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

128Kb (16K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

17ns

Tempo di accesso

17ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

68-BPGA

Pacchetto dispositivo fornitore

68-PGA (29.46x29.46)

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

150ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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