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W632GG8KB-11 TR

W632GG8KB-11 TR

Solo per riferimento

Numero parte W632GG8KB-11 TR
PNEDA Part # W632GG8KB-11-TR
Descrizione IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.406
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 2 - apr 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W632GG8KB-11 TR Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW632GG8KB-11 TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W632GG8KB-11 TR, W632GG8KB-11 TR Datasheet (Totale pagine: 159, Dimensioni: 5.237,38 KB)
PDFW632GG8KB15I TR Datasheet Copertura
W632GG8KB15I TR Datasheet Pagina 2 W632GG8KB15I TR Datasheet Pagina 3 W632GG8KB15I TR Datasheet Pagina 4 W632GG8KB15I TR Datasheet Pagina 5 W632GG8KB15I TR Datasheet Pagina 6 W632GG8KB15I TR Datasheet Pagina 7 W632GG8KB15I TR Datasheet Pagina 8 W632GG8KB15I TR Datasheet Pagina 9 W632GG8KB15I TR Datasheet Pagina 10 W632GG8KB15I TR Datasheet Pagina 11

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W632GG8KB-11 TR Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR3
Dimensione della memoria2Gb (256M x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso20ns
Tensione - Alimentazione1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore78-WBGA (10.5x8)

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

DRAM

Dimensione della memoria

1.125Gb (64Mb x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

933MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8ns

Tensione - Alimentazione

1.28V ~ 1.42V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

96ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-VBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

24-FBGA (6x8)

S34MS01G104BHI910

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MS-1

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

1Gb (64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

63-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

63-BGA (11x9)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8, 16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

100ns

Tempo di accesso

100ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

8ns

Tempo di accesso

8ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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