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W631GG8MB-11 TR

W631GG8MB-11 TR

Solo per riferimento

Numero parte W631GG8MB-11 TR
PNEDA Part # W631GG8MB-11-TR
Descrizione IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.264
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W631GG8MB-11 TR Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW631GG8MB-11 TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W631GG8MB-11 TR, W631GG8MB-11 TR Datasheet (Totale pagine: 160, Dimensioni: 6.093,4 KB)
PDFW631GG8MB15I Datasheet Copertura
W631GG8MB15I Datasheet Pagina 2 W631GG8MB15I Datasheet Pagina 3 W631GG8MB15I Datasheet Pagina 4 W631GG8MB15I Datasheet Pagina 5 W631GG8MB15I Datasheet Pagina 6 W631GG8MB15I Datasheet Pagina 7 W631GG8MB15I Datasheet Pagina 8 W631GG8MB15I Datasheet Pagina 9 W631GG8MB15I Datasheet Pagina 10 W631GG8MB15I Datasheet Pagina 11

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W631GG8MB-11 TR Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR3
Dimensione della memoria1Gb (128M x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso20ns
Tensione - Alimentazione1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia78-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore78-VFBGA (10.5x8)

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

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Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

1ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-WSON (6x5)

W632GG8MB-15

Winbond Electronics

Produttore

Winbond Electronics

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3

Dimensione della memoria

2Gb (128M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

667MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.425V ~ 1.575V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

78-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

78-VFBGA (10.5x8)

NDS36PT5-16ET

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Produttore

Insignis Technology Corporation

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TSOP II

CY7C2265KV18-400BZXI

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II+

Dimensione della memoria

36Mb (1M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Microchip Technology

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

120ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Through Hole

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