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W25X10VSNIG T&R

W25X10VSNIG T&R

Solo per riferimento

Numero parte W25X10VSNIG T&R
PNEDA Part # W25X10VSNIG-T-R
Descrizione IC FLASH 1M SPI 75MHZ 8SOIC
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.646
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 25 - apr 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W25X10VSNIG T&R Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW25X10VSNIG T&R
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W25X10VSNIG T&R, W25X10VSNIG T&R Datasheet (Totale pagine: 48, Dimensioni: 1.606,91 KB)
PDFW25X80VZPIG T&R Datasheet Copertura
W25X80VZPIG T&R Datasheet Pagina 2 W25X80VZPIG T&R Datasheet Pagina 3 W25X80VZPIG T&R Datasheet Pagina 4 W25X80VZPIG T&R Datasheet Pagina 5 W25X80VZPIG T&R Datasheet Pagina 6 W25X80VZPIG T&R Datasheet Pagina 7 W25X80VZPIG T&R Datasheet Pagina 8 W25X80VZPIG T&R Datasheet Pagina 9 W25X80VZPIG T&R Datasheet Pagina 10 W25X80VZPIG T&R Datasheet Pagina 11

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W25X10VSNIG T&R Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
SerieSpiFlash®
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock75MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina3ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Alliance Memory, Inc.

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Interfaccia di memoria

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Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

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Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-CABGA (13x15)

23LCV512T-E/ST

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

512Kb (64K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Dual I/O

Frequenza di clock

20MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

IS61NVP25672-200B1I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

18Mb (256K x 72)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.1ns

Tensione - Alimentazione

2.375V ~ 2.625V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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