VS-VSKJ250-16PBF
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| Numero parte | VS-VSKJ250-16PBF |
| PNEDA Part # | VS-VSKJ250-16PBF |
| Descrizione | DIODE 1.6KV 125A MAGN-A-PAK |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.740 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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VS-VSKJ250-16PBF Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VS-VSKJ250-16PBF |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
| Datasheet |
VS-VSKJ250-16PBF, VS-VSKJ250-16PBF Datasheet
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VS-VSKJ250-16PBF Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1600V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 125A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | - |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50mA @ 1600V |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | 3-MAGN-A-PAK™ |
| Pacchetto dispositivo fornitore | MAGN-A-PAK® |
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Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 600A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 300A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 220ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 25µA @ 50V Temperatura di esercizio - Giunzione - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore Three Tower |
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Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 45V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 200A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 600mV @ 200A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 5mA @ 45V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore Three Tower |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Anode Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 150A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 920mV @ 150A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 3mA @ 200V Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore Twin Tower |
