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VS-VSKD320-04PBF

VS-VSKD320-04PBF

Solo per riferimento

Numero parte VS-VSKD320-04PBF
PNEDA Part # VS-VSKD320-04PBF
Descrizione DIODE GEN 400V 160A MAGNAPAK
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.786
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

VS-VSKD320-04PBF Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVS-VSKD320-04PBF
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
VS-VSKD320-04PBF, VS-VSKD320-04PBF Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 282,27 KB)
PDFVS-VSKT250-14PBF Datasheet Copertura
VS-VSKT250-14PBF Datasheet Pagina 2 VS-VSKT250-14PBF Datasheet Pagina 3 VS-VSKT250-14PBF Datasheet Pagina 4 VS-VSKT250-14PBF Datasheet Pagina 5 VS-VSKT250-14PBF Datasheet Pagina 6 VS-VSKT250-14PBF Datasheet Pagina 7 VS-VSKT250-14PBF Datasheet Pagina 8 VS-VSKT250-14PBF Datasheet Pagina 9 VS-VSKT250-14PBF Datasheet Pagina 10 VS-VSKT250-14PBF Datasheet Pagina 11

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VS-VSKD320-04PBF Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Configurazione diodi1 Pair Common Cathode
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)400V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)160A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If-
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr50mA @ 400V
Temperatura di esercizio - Giunzione-40°C ~ 150°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / Custodia3-MAGN-A-PAK™
Pacchetto dispositivo fornitoreMAGN-A-PAK®

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Series Connection

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

40A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

820mV @ 40A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2mA @ 100V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

Tipo di montaggio

Screw Mount

Pacchetto / Custodia

TO-249AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-249

STPS30L40CW

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

550mV @ 15A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

360µA @ 40V

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

MBR1050CT C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

900mV @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 50V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

MBRF2060CTH

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

SWITCHMODE™

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

850mV @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

150µA @ 60V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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TO-220-3 Full Pack

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Configurazione diodi

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Tipo di diodo

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

120V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

20A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

880mV @ 20A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 120V

Temperatura di esercizio - Giunzione

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