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VS-SD600R32PC

VS-SD600R32PC

Solo per riferimento

Numero parte VS-SD600R32PC
PNEDA Part # VS-SD600R32PC
Descrizione DIODE GEN PURP 3.2KV 600A B8
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.888
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 4 - nov 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

VS-SD600R32PC Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVS-SD600R32PC
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
VS-SD600R32PC, VS-SD600R32PC Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 190,96 KB)
PDFVS-SD600N28PC Datasheet Copertura
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VS-SD600R32PC Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)3200V
Corrente - Media Rettificata (Io)600A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.44V @ 1500A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr35mA @ 3200V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioChassis, Stud Mount
Pacchetto / CustodiaB-8
Pacchetto dispositivo fornitoreB-8
Temperatura di esercizio - Giunzione-40°C ~ 150°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

16A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

850mV @ 16A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

300µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AC

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

ES1FLHRQG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

300V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 300V

Capacità @ Vr, F

8pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AB

Pacchetto dispositivo fornitore

Sub SMA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

VF20150S-E3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

TMBS®

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

20A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.43V @ 20A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

250µA @ 150V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Pacchetto dispositivo fornitore

ITO-220AB

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

PMEG3015EV,115

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.5A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

550mV @ 1.5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 30V

Capacità @ Vr, F

72pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-666

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

ABR1045DNPTR-G1

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Temperatura di esercizio - Giunzione

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