VS-HFA04TB60S-M3
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| Numero parte | VS-HFA04TB60S-M3 |
| PNEDA Part # | VS-HFA04TB60S-M3 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 4A D2PAK |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 20.820 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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VS-HFA04TB60S-M3 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VS-HFA04TB60S-M3 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
VS-HFA04TB60S-M3, VS-HFA04TB60S-M3 Datasheet
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VS-HFA04TB60S-M3 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | HEXFRED® |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 4A (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 2.2V @ 8A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 42ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB (D²PAK) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Standard, Reverse Polarity Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 100A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 100A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 25µA @ 50V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia D-67 Pacchetto dispositivo fornitore D-67 Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 4A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 4A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 400ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia B, Axial Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 20V Corrente - Media Rettificata (Io) 500mA (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 390mV @ 500mA Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 200µA @ 20V Capacità @ Vr, F 80pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-666 Temperatura di esercizio - Giunzione 150°C (Max) |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard, Reverse Polarity Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 300A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 942A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 40mA @ 100V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-205AB, DO-9, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-205AB, DO-9 Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 200°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 5A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 200ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 600V Capacità @ Vr, F 300pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia P600, Axial Pacchetto dispositivo fornitore P600 Temperatura di esercizio - Giunzione -50°C ~ 150°C |
