VS-GB75DA120UP
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| Numero parte | VS-GB75DA120UP |
| PNEDA Part # | VS-GB75DA120UP |
| Descrizione | MODULE IGBT SOT-227 |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.964 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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VS-GB75DA120UP Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VS-GB75DA120UP |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
| Datasheet |
VS-GB75DA120UP, VS-GB75DA120UP Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 158,71 KB)
  
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VS-GB75DA120UP Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | NPT |
| Configurazione | Single |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | - |
| Potenza - Max | 658W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.8V @ 15V, 75A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 250µA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | - |
| Input | Standard |
| Termistore NTC | No |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-227-4, miniBLOC |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Configurazione Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1700V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 75A Potenza - Max 312W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A Corrente - Taglio collettore (Max) 250µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 4.4nF @ 25V Input Standard Termistore NTC Yes Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP4 Pacchetto dispositivo fornitore SP4 |
