VS-GB50TP120N
Solo per riferimento
| Numero parte | VS-GB50TP120N |
| PNEDA Part # | VS-GB50TP120N |
| Descrizione | IGBT 1200V 100A 446W INT-A-PAK |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.778 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 1 - apr 6 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
VS-GB50TP120N Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | VS-GB50TP120N |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- VS-GB50TP120N Datasheet
- where to find VS-GB50TP120N
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB50TP120N
- VS-GB50TP120N PDF Datasheet
- VS-GB50TP120N Stock
- VS-GB50TP120N Pinout
- Datasheet VS-GB50TP120N
- VS-GB50TP120N Supplier
- Vishay Semiconductor Diodes Division Distributor
- VS-GB50TP120N Price
- VS-GB50TP120N Distributor
VS-GB50TP120N Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Configurazione | Half Bridge |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100A |
| Potenza - Max | 446W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 50A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 5mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 4.29nF @ 25V |
| Input | Standard |
| Termistore NTC | No |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | INT-A-PAK (3 + 4) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | INT-A-PAK |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Global Power Technologies Group Serie Amp+™ Tipo IGBT - Configurazione Three Phase Inverter Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 200A Potenza - Max 800W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A Corrente - Taglio collettore (Max) 1mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 13.7nF @ 25V Input Three Phase Bridge Rectifier Termistore NTC Yes Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Module Pacchetto dispositivo fornitore Module |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Configurazione Three Phase Inverter Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 16A Potenza - Max 50W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 10A Corrente - Taglio collettore (Max) 1mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 550pF @ 25V Input Standard Termistore NTC Yes Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Module Pacchetto dispositivo fornitore Module |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Configurazione Full Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 65A Potenza - Max 220W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 35A Corrente - Taglio collettore (Max) 250µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 1.95nF @ 25V Input Standard Termistore NTC Yes Temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP1 Pacchetto dispositivo fornitore SP1 |
Produttore Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® Tipo IGBT PT Configurazione Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 75A Potenza - Max 329W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 45A Corrente - Taglio collettore (Max) 750µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 4nF @ 25V Input Standard Termistore NTC No Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia ISOTOP Pacchetto dispositivo fornitore ISOTOP® |
Produttore IXYS Serie - Tipo IGBT NPT Configurazione Three Phase Inverter with Brake Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 7A Potenza - Max 38W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 4A Corrente - Taglio collettore (Max) 10µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 0.34nF @ 25V Input Three Phase Bridge Rectifier Termistore NTC Yes Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia E1 Pacchetto dispositivo fornitore E1 |
