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VS-GB50LA120UX

VS-GB50LA120UX

Solo per riferimento

Numero parte VS-GB50LA120UX
PNEDA Part # VS-GB50LA120UX
Descrizione IGBT 1200V 84A 431W SOT-227
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
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Disponibile 4.644
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 26 - dic 1 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

VS-GB50LA120UX Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVS-GB50LA120UX
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
VS-GB50LA120UX, VS-GB50LA120UX Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 173,02 KB)
PDFVS-GB50LA120UX Datasheet Copertura
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VS-GB50LA120UX Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo IGBTNPT
ConfigurazioneSingle
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)84A
Potenza - Max431W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 50A
Corrente - Taglio collettore (Max)50µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce-
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-227

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

11A

Potenza - Max

36W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

0.74nF @ 30V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

19-SIP (13 Leads), IMS-2

Pacchetto dispositivo fornitore

IMS-2

CM100DY-12H

Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Potenza - Max

400W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

10nF @ 10V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGLQ100H65T3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Full Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

135A

Potenza - Max

350W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

50µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6.15nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3F

DDB6U134N16RRBOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70A

Potenza - Max

500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 70A

Corrente - Taglio collettore (Max)

500µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

5.1nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FS50R12KT4B11BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Full Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Potenza - Max

280W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

2.8nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

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