VS-GB100LP120N
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| Numero parte | VS-GB100LP120N |
| PNEDA Part # | VS-GB100LP120N |
| Descrizione | IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.806 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 1 - apr 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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VS-GB100LP120N Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VS-GB100LP120N |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
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VS-GB100LP120N Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Configurazione | Single |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 200A |
| Potenza - Max | 658W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 100A (Typ) |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 1mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 7.43nF @ 25V |
| Input | Standard |
| Termistore NTC | No |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | INT-A-Pak |
| Pacchetto dispositivo fornitore | INT-A-PAK |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo IGBT - Configurazione - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Potenza - Max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Corrente - Taglio collettore (Max) - Capacità di ingresso (Cies) @ Vce - Input - Termistore NTC No Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 19-SIP (13 Leads), IMS-2 Pacchetto dispositivo fornitore IMS-2 |
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