VS-ETL1506STRLHM3
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| Numero parte | VS-ETL1506STRLHM3 |
| PNEDA Part # | VS-ETL1506STRLHM3 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.402 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 14 - apr 19 (Scegli Spedizione rapida) |
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VS-ETL1506STRLHM3 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VS-ETL1506STRLHM3 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
VS-ETL1506STRLHM3, VS-ETL1506STRLHM3 Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 232 KB)
  
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VS-ETL1506STRLHM3 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 15A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.07V @ 15A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 210ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 15µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (D2Pak) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 500V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 2A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 500V Capacità @ Vr, F 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 950mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
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Produttore Littelfuse Inc. Serie Gen2 Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1200V Corrente - Media Rettificata (Io) 54.5A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 20A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 1200V Capacità @ Vr, F 1142pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247-3 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
