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VS-ETF150Y65N

VS-ETF150Y65N

Solo per riferimento

Numero parte VS-ETF150Y65N
PNEDA Part # VS-ETF150Y65N
Descrizione IGBT 650V 150A EMIPAK-2B
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.562
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

VS-ETF150Y65N Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVS-ETF150Y65N
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
VS-ETF150Y65N, VS-ETF150Y65N Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 262,69 KB)
PDFVS-ETF150Y65N Datasheet Copertura
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  • VS-ETF150Y65N Distributor

VS-ETF150Y65N Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
SerieFRED Pt®
Tipo IGBTNPT
ConfigurazioneHalf Bridge Inverter
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)650V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)201A
Potenza - Max600W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.17V @ 15V, 150A
Corrente - Taglio collettore (Max)-
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce-
InputStandard
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggio-
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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Littelfuse

Produttore

Littelfuse Inc.

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

105A

Potenza - Max

630W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 75A (Typ)

Corrente - Taglio collettore (Max)

500µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

5.52nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

S-3 Module

Pacchetto dispositivo fornitore

S3

APTGF100A1202G

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

135A

Potenza - Max

568W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6.5nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP2

Pacchetto dispositivo fornitore

SP2

FMS6G10US60S

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

10A

Potenza - Max

66W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

0.71nF @ 30V

Input

Single Phase Bridge Rectifier

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

25PM-AA

Pacchetto dispositivo fornitore

25PM-AA

FD800R33KF2CNOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Single Chopper

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3300V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

9600W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.25V @ 15V, 800A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

100nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FD1000R33HE3KBPSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Dual Brake Chopper

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3300V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1000A

Potenza - Max

11500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 1000A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

190nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

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