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VS-EMG050J60N

VS-EMG050J60N

Solo per riferimento

Numero parte VS-EMG050J60N
PNEDA Part # VS-EMG050J60N
Descrizione IGBT 600V 88A 338W EMIPAK2
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.014
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 2 - dic 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

VS-EMG050J60N Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVS-EMG050J60N
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
VS-EMG050J60N, VS-EMG050J60N Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 241,87 KB)
PDFVS-EMG050J60N Datasheet Copertura
VS-EMG050J60N Datasheet Pagina 2 VS-EMG050J60N Datasheet Pagina 3 VS-EMG050J60N Datasheet Pagina 4 VS-EMG050J60N Datasheet Pagina 5 VS-EMG050J60N Datasheet Pagina 6 VS-EMG050J60N Datasheet Pagina 7 VS-EMG050J60N Datasheet Pagina 8 VS-EMG050J60N Datasheet Pagina 9 VS-EMG050J60N Datasheet Pagina 10 VS-EMG050J60N Datasheet Pagina 11

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VS-EMG050J60N Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo IGBT-
ConfigurazioneHalf Bridge
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)88A
Potenza - Max338W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 50A
Corrente - Taglio collettore (Max)100µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce9.5nF @ 30V
InputStandard
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaEMIPAK2
Pacchetto dispositivo fornitoreEMIPAK2

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Produttore

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Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

220A

Potenza - Max

690W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

Corrente - Taglio collettore (Max)

350µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

10.7nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500A

Potenza - Max

1250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 400A

Corrente - Taglio collettore (Max)

500µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

24nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D-3 Module

Pacchetto dispositivo fornitore

D3

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

2 Independent

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

3350W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 600A

Corrente - Taglio collettore (Max)

3mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

37nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGT300DA170G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

400A

Potenza - Max

1660W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 300A

Corrente - Taglio collettore (Max)

750µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

26.5nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

250A

Potenza - Max

890W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 150A

Corrente - Taglio collettore (Max)

350µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

13.5nF @ 25V

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