VS-8EWS10STRL-M3
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| Numero parte | VS-8EWS10STRL-M3 |
| PNEDA Part # | VS-8EWS10STRL-M3 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.812 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | gen 6 - gen 11 (Scegli Spedizione rapida) |
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VS-8EWS10STRL-M3 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VS-8EWS10STRL-M3 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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VS-8EWS10STRL-M3 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1000V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 8A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 8A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 1000V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D-PAK (TO-252AA) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101, eSMP® Tipo di diodo Avalanche Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 800V Corrente - Media Rettificata (Io) 1.3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 2.5V @ 2A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 800V Capacità @ Vr, F 29pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-277, 3-PowerDFN Pacchetto dispositivo fornitore TO-277A (SMPC) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore Comchip Technology Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 20V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 400mV @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 500µA @ 20V Capacità @ Vr, F 250pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione -50°C ~ 150°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 300V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 300V Capacità @ Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia T-18, Axial Pacchetto dispositivo fornitore TS-1 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore STMicroelectronics Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 600mV @ 2A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 60V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AL, DO-41, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-41 Temperatura di esercizio - Giunzione 150°C (Max) |
