VS-8EWF12S-M3
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Numero parte | VS-8EWF12S-M3 |
PNEDA Part # | VS-8EWF12S-M3 |
Descrizione | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252 |
Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 15.528 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | nov 21 - nov 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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VS-8EWF12S-M3 Risorse
Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | VS-8EWF12S-M3 |
Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
Datasheet |
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VS-8EWF12S-M3 Specifiche
Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Serie | - |
Tipo di diodo | Standard |
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente - Media Rettificata (Io) | 8A |
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 270ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
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