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VS-8EWF02STRR-M3

VS-8EWF02STRR-M3

Solo per riferimento

Numero parte VS-8EWF02STRR-M3
PNEDA Part # VS-8EWF02STRR-M3
Descrizione DIODE GEN PURP 200V 8A D-PAK
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.078
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 9 - apr 14 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

VS-8EWF02STRR-M3 Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVS-8EWF02STRR-M3
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
VS-8EWF02STRR-M3, VS-8EWF02STRR-M3 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 237,88 KB)
PDFVS-8EWF06STRR-M3 Datasheet Copertura
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VS-8EWF02STRR-M3 Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)200V
Corrente - Media Rettificata (Io)8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.2V @ 8A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)55ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr100µA @ 200V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitoreD-PAK (TO-252AA)
Temperatura di esercizio - Giunzione-40°C ~ 150°C

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

6A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

900mV @ 6A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

25µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

Button, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

Microde Button

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

ISL9R3060P2

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Stealth™

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

30A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

2.4V @ 30A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

45ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-2

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

VS-6EWH06FN-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

FRED Pt®

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

6A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

2.1V @ 6A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

27ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

D-PAK (TO-252AA)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

GP10-4003E-E3/53

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101, Superectifier®

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

3µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

8pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AL, DO-41, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-204AL (DO-41)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1300V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

400ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 1300V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

-

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