VS-80APF10PBF
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| Numero parte | VS-80APF10PBF |
| PNEDA Part # | VS-80APF10PBF |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 1KV 80A TO247AC |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.850 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 26 - mag 1 (Scegli Spedizione rapida) |
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VS-80APF10PBF Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VS-80APF10PBF |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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VS-80APF10PBF Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1000V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 80A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.35V @ 80A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 480ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1000V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AC |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 800V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.15V @ 3A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 1.5µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 800V Capacità @ Vr, F 30pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
