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VS-4EWH02FN-M3

VS-4EWH02FN-M3

Solo per riferimento

Numero parte VS-4EWH02FN-M3
PNEDA Part # VS-4EWH02FN-M3
Descrizione DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 24.954
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 12 - apr 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

VS-4EWH02FN-M3 Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVS-4EWH02FN-M3
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
VS-4EWH02FN-M3, VS-4EWH02FN-M3 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 162,03 KB)
PDFVS-4EWH02FNTRR-M3 Datasheet Copertura
VS-4EWH02FNTRR-M3 Datasheet Pagina 2 VS-4EWH02FNTRR-M3 Datasheet Pagina 3 VS-4EWH02FNTRR-M3 Datasheet Pagina 4 VS-4EWH02FNTRR-M3 Datasheet Pagina 5 VS-4EWH02FNTRR-M3 Datasheet Pagina 6 VS-4EWH02FNTRR-M3 Datasheet Pagina 7 VS-4EWH02FNTRR-M3 Datasheet Pagina 8

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VS-4EWH02FN-M3 Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)200V
Corrente - Media Rettificata (Io)4A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If950mV @ 4A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)20ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr3µA @ 200V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitoreD-PAK (TO-252AA)
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 175°C

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

650V

Corrente - Media Rettificata (Io)

80A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 40A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

129ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

40µA @ 650V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 175°C

BAS170WS-G3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

70V

Corrente - Media Rettificata (Io)

70mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 15mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 70V

Capacità @ Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-76, SOD-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-323

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 125°C

S2DHM4G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 2A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

1.5µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

30pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AA, SMB

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AA (SMB)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

DSK10E-AT1

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

R-1, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

MBR230LSFT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

430mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 30V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-123F

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-123L

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 125°C

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