VS-30ETU12THN3
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| Numero parte | VS-30ETU12THN3 |
| PNEDA Part # | VS-30ETU12THN3 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 30A TO220AC |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 20.352 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 21 - apr 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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VS-30ETU12THN3 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VS-30ETU12THN3 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
VS-30ETU12THN3, VS-30ETU12THN3 Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 148,85 KB)
  
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VS-30ETU12THN3 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | - |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 30A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 2.68V @ 30A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 220ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 145µA @ 1200V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-2 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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Produttore ON Semiconductor Serie SWITCHMODE™ Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 15A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.05V @ 15A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 100V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-2 Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
Produttore STMicroelectronics Serie - Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 650V Corrente - Media Rettificata (Io) 6A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.75V @ 6A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 60µA @ 650V Capacità @ Vr, F 300pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore D²PAK Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 175°C |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 800V Corrente - Media Rettificata (Io) 150A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 150A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 5.5mA @ 800V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-205AA, DO-8, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-205AA (DO-8) Temperatura di esercizio - Giunzione -60°C ~ 200°C |
Produttore Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/585 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 1.2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 1.2A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 30ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 500nA @ 400V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SQ-MELF, A Pacchetto dispositivo fornitore D-5A Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
Produttore Powerex Inc. Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 100A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 2.7V @ 100A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 300ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 45mA @ 200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-205AA, DO-8, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-205AA (DO-8) Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
