VS-2EFH01HM3/I
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Numero parte | VS-2EFH01HM3/I |
PNEDA Part # | VS-2EFH01HM3-I |
Descrizione | DIODE GEN PURP 100V 2A DO219AB |
Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 4.518 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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VS-2EFH01HM3/I Risorse
Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | VS-2EFH01HM3/I |
Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
Datasheet |
VS-2EFH01HM3/I, VS-2EFH01HM3/I Datasheet
(Totale pagine: 6, Dimensioni: 131,84 KB)
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VS-2EFH01HM3/I Specifiche
Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Serie | - |
Tipo di diodo | Standard |
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Media Rettificata (Io) | 2A |
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 16ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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