VS-20ETF12S-M3
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| Numero parte | VS-20ETF12S-M3 |
| PNEDA Part # | VS-20ETF12S-M3 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.078 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 20 - apr 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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VS-20ETF12S-M3 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VS-20ETF12S-M3 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
VS-20ETF12S-M3, VS-20ETF12S-M3 Datasheet
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VS-20ETF12S-M3 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1200V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 20A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.31V @ 20A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 400ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
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Produttore Semtech Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 20000V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 20V @ 3A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 2µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 2µA @ 20000V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Module Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 6A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 6A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 200V Capacità @ Vr, F 60pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia R6, Axial Pacchetto dispositivo fornitore R-6 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 80V Corrente - Media Rettificata (Io) 10A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 810mV @ 10A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 600µA @ 80V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Pacchetto dispositivo fornitore TO-262AA Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 150A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 150A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 25mA @ 100V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-205AC, DO-30, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-205AC (DO-30) Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 200°C |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media Rettificata (Io) 200mA (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 600mV @ 200mA Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 60V Capacità @ Vr, F 20pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-79, SOD-523 Pacchetto dispositivo fornitore SOD-523 Temperatura di esercizio - Giunzione 150°C (Max) |
