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VS-1N1187R

VS-1N1187R

Solo per riferimento

Numero parte VS-1N1187R
PNEDA Part # VS-1N1187R
Descrizione DIODE GEN PURP 300V 35A DO203AB
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.334
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

VS-1N1187R Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVS-1N1187R
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
VS-1N1187R, VS-1N1187R Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 145,44 KB)
PDFVS-1N3768R Datasheet Copertura
VS-1N3768R Datasheet Pagina 2 VS-1N3768R Datasheet Pagina 3 VS-1N3768R Datasheet Pagina 4 VS-1N3768R Datasheet Pagina 5 VS-1N3768R Datasheet Pagina 6 VS-1N3768R Datasheet Pagina 7

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VS-1N1187R Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoStandard, Reverse Polarity
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)300V
Corrente - Media Rettificata (Io)35A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.7V @ 110A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr10mA @ 300V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioChassis, Stud Mount
Pacchetto / CustodiaDO-203AB, DO-5, Stud
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-203AB
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 190°C

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

30A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

615mV @ 30A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

135µA @ 60V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

PMEG6010ESBYL

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

730mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

2.4ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

30µA @ 60V

Capacità @ Vr, F

20pF @ 10V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

2-XDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

DSN1006-2

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

CSD02060G

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Produttore

Cree/Wolfspeed

Serie

Zero Recovery™

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 2A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

200µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

120pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263-2

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

75V

Corrente - Media Rettificata (Io)

300mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 10mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

4ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100nA @ 50V

Capacità @ Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AH, DO-35, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-35

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

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Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

550µA @ 80V

Capacità @ Vr, F

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Tipo di montaggio

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Pacchetto dispositivo fornitore

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