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VS-1ENH02HM3/84A

VS-1ENH02HM3/84A

Solo per riferimento

Numero parte VS-1ENH02HM3/84A
PNEDA Part # VS-1ENH02HM3-84A
Descrizione FRED PT RECTIFIER AEC-Q101 SMP
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 28.878
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

VS-1ENH02HM3/84A Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVS-1ENH02HM3/84A
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
VS-1ENH02HM3/84A, VS-1ENH02HM3/84A Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 224,18 KB)
PDFVS-1ENH02HM3/85A Datasheet Copertura
VS-1ENH02HM3/85A Datasheet Pagina 2 VS-1ENH02HM3/85A Datasheet Pagina 3 VS-1ENH02HM3/85A Datasheet Pagina 4 VS-1ENH02HM3/85A Datasheet Pagina 5 VS-1ENH02HM3/85A Datasheet Pagina 6 VS-1ENH02HM3/85A Datasheet Pagina 7

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VS-1ENH02HM3/84A Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q101, FRED Pt®
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)200V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If920mV @ 1A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)28ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr2µA @ 200V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.12V @ 1A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

1.5µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

6pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AC (SMA)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

CLS02(TE16L,HIT,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

10A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

0.55V @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 40V

Capacità @ Vr, F

420pF @ 10V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

L-FLAT™

Pacchetto dispositivo fornitore

L-FLAT™ (4x5.5)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 125°C

JAN1N6641US

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/609

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

300mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 300mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

5ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100nA @ 50V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SQ-MELF, B

Pacchetto dispositivo fornitore

D-5B

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

LFUSCD16065B

Littelfuse

Produttore

Littelfuse Inc.

Serie

-

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

650V

Corrente - Media Rettificata (Io)

16A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 16A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

460µA @ 650V

Capacità @ Vr, F

520pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD

Temperatura di esercizio - Giunzione

175°C (Max)

JAN1N5553

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/420

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 9A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

2µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 800V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

B, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

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