VS-10ETF12FP-M3
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| Numero parte | VS-10ETF12FP-M3 |
| PNEDA Part # | VS-10ETF12FP-M3 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220FP |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.132 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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VS-10ETF12FP-M3 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VS-10ETF12FP-M3 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
VS-10ETF12FP-M3, VS-10ETF12FP-M3 Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 226,46 KB)
  
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VS-10ETF12FP-M3 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1200V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 10A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.33V @ 10A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 310ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1000V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-2 Full Pack |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-2 Full Pack |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
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