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VF20120SG-E3/4W

VF20120SG-E3/4W

Solo per riferimento

Numero parte VF20120SG-E3/4W
PNEDA Part # VF20120SG-E3-4W
Descrizione DIODE SCHOTTKY 120V 20A ITO220AB
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.862
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

VF20120SG-E3/4W Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVF20120SG-E3/4W
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
VF20120SG-E3/4W, VF20120SG-E3/4W Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 215,88 KB)
PDFVB20120SG-E3/8W Datasheet Copertura
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  • VF20120SG-E3/4W Distributor

VF20120SG-E3/4W Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
SerieTMBS®
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)120V
Corrente - Media Rettificata (Io)20A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.33V @ 20A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr250µA @ 120V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Pacchetto dispositivo fornitoreITO-220AB
Temperatura di esercizio - Giunzione-40°C ~ 150°C

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

60A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 60A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

55ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

20µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

Temperatura di esercizio - Giunzione

175°C (Max)

FFSP05120A

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.75V @ 5A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

200µA @ 1200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-2L

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

80EPS08

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

80A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.17V @ 80A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 800V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

NRVB560MFST1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

780mV @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

150µA @ 60V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN, 5 Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

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Temperatura di esercizio - Giunzione

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

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Tipo di diodo

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

550mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 40V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AD, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

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