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VDI50-12P1

VDI50-12P1

Solo per riferimento

Numero parte VDI50-12P1
PNEDA Part # VDI50-12P1
Descrizione MOD IGBT BUCK 1200V ECO-PAC2
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.978
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

VDI50-12P1 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVDI50-12P1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
VDI50-12P1, VDI50-12P1 Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 348,77 KB)
PDFVIO50-12P1 Datasheet Copertura
VIO50-12P1 Datasheet Pagina 2 VIO50-12P1 Datasheet Pagina 3 VIO50-12P1 Datasheet Pagina 4

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VDI50-12P1 Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo IGBTNPT
ConfigurazioneSingle
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)49A
Potenza - Max208W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.7V @ 15V, 50A
Corrente - Taglio collettore (Max)1.1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce1.65nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaECO-PAC2
Pacchetto dispositivo fornitoreECO-PAC2

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

900A

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 900A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

54nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FF300R12ME3BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

EconoDUAL™

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Half Bridge Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500A

Potenza - Max

1450W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 300A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

20nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGT100A170D1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Potenza - Max

695W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

3mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

8.5nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D1

Pacchetto dispositivo fornitore

D1

APTGL180A1202G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

220A

Potenza - Max

750W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 150A

Corrente - Taglio collettore (Max)

300µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

9.3nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP2

Pacchetto dispositivo fornitore

SP2

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

140A

Potenza - Max

480W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

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