VBT2080S-M3/4W
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| Numero parte | VBT2080S-M3/4W |
| PNEDA Part # | VBT2080S-M3-4W |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 20A 80V TO-263AB |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.110 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 3 - nov 8 (Scegli Spedizione rapida) |
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VBT2080S-M3/4W Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VBT2080S-M3/4W |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
VBT2080S-M3/4W, VBT2080S-M3/4W Datasheet
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VBT2080S-M3/4W Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 80V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 20A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 20A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 700µA @ 80V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 2200V Corrente - Media Rettificata (Io) 950A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.12V @ 650A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 40mA @ 2200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia DO-200AA, A-PUK Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 180°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media Rettificata (Io) 10A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 640mV @ 10A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 800µA @ 60V Capacità @ Vr, F 1650pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-277, 3-PowerDFN Pacchetto dispositivo fornitore TO-277A (SMPC) Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 175°C |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 40V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 535mV @ 2A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 85ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 40V Capacità @ Vr, F 270pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 3-PowerUDFN Pacchetto dispositivo fornitore 3-HUSON (2x2) Temperatura di esercizio - Giunzione 150°C (Max) |
Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 45V Corrente - Media Rettificata (Io) 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 520mV @ 5A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 2mA @ 45V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AB Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
