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V8PM45-M3/I

V8PM45-M3/I

Solo per riferimento

Numero parte V8PM45-M3/I
PNEDA Part # V8PM45-M3-I
Descrizione RECTIFIER BARRIER SCHOTTKY TO-27
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.104
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

V8PM45-M3/I Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteV8PM45-M3/I
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
V8PM45-M3/I, V8PM45-M3/I Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 102,34 KB)
PDFV8PM45HM3/I Datasheet Copertura
V8PM45HM3/I Datasheet Pagina 2 V8PM45HM3/I Datasheet Pagina 3 V8PM45HM3/I Datasheet Pagina 4 V8PM45HM3/I Datasheet Pagina 5

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V8PM45-M3/I Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie*
Tipo di diodo-
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)-
Corrente - Media Rettificata (Io)-
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If-
Velocità-
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr-
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-
Temperatura di esercizio - Giunzione-

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

15V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

320mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2mA @ 15V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-216AA

Pacchetto dispositivo fornitore

Powermite

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 125°C

GF1M-E3/67A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

SUPERECTIFIER®

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 1A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

2µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214BA

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214BA (GF1)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

SF30JG-B

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

50pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AD, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-201AD

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

R7S01016XX

Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1600A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 1500A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

7µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50mA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

DO-200AA, A-PUK

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-200AA, R62

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

ES1BL MQG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

10pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AB

Pacchetto dispositivo fornitore

Sub SMA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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