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V1PL45HM3/H

V1PL45HM3/H

Solo per riferimento

Numero parte V1PL45HM3/H
PNEDA Part # V1PL45HM3-H
Descrizione DIODE SCHOTTKY 45V 1A MICROSMP
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 38.760
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 2 - dic 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

V1PL45HM3/H Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteV1PL45HM3/H
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
V1PL45HM3/H, V1PL45HM3/H Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 101,4 KB)
PDFV1PL45HM3/H Datasheet Copertura
V1PL45HM3/H Datasheet Pagina 2 V1PL45HM3/H Datasheet Pagina 3 V1PL45HM3/H Datasheet Pagina 4

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V1PL45HM3/H Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q101, eSMP®
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)45V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If530mV @ 1A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr250µA @ 45V
Capacità @ Vr, F200pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-219AD
Pacchetto dispositivo fornitoreMicroSMP (DO-219AD)
Temperatura di esercizio - Giunzione-40°C ~ 150°C

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Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

300V

Corrente - Media Rettificata (Io)

60A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 60A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AB, DO-5, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-5

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 200°C

QH08BZ600

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Produttore

Power Integrations

Serie

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Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

3.15V @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

11.1ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

250µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

25pF @ 10V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263AB

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

MUR880E

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

SWITCHMODE™

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

100ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

25µA @ 800V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AC

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

MSS1P5HM3/89A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101, eSMP®

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

680mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

150µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

40pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AD

Pacchetto dispositivo fornitore

MicroSMP (DO-219AD)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

920mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

25ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 150V

Capacità @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

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