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UPA800T-T1-A

UPA800T-T1-A

Solo per riferimento

Numero parte UPA800T-T1-A
PNEDA Part # UPA800T-T1-A
Descrizione RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ SOT363
Produttore CEL
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.968
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 27 - mag 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

UPA800T-T1-A Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteUPA800T-T1-A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
UPA800T-T1-A, UPA800T-T1-A Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 771,48 KB)
PDFUPA800T-A Datasheet Copertura
UPA800T-A Datasheet Pagina 2 UPA800T-A Datasheet Pagina 3 UPA800T-A Datasheet Pagina 4 UPA800T-A Datasheet Pagina 5

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UPA800T-T1-A Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistor2 NPN (Dual)
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)10V
Frequenza - Transizione8GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.9dB @ 2GHz
Guadagno7.5dB
Potenza - Max200mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 3V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)35mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-363

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Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

3 NPN + 2 PNP

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V, 15V

Frequenza - Transizione

8GHz, 5.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

MS2204

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

1.09GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

10.8dB

Potenza - Max

600mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 100mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

300mA

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M115

Pacchetto dispositivo fornitore

M115

SD1013-20H

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MRF581G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

18V

Frequenza - Transizione

5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3dB ~ 3.5dB @ 500MHz

Guadagno

13dB ~ 15.5dB

Potenza - Max

1.25W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 50mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Micro-X ceramic (84C)

Pacchetto dispositivo fornitore

Micro-X ceramic (84C)

2SC5632G0L

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

8V

Frequenza - Transizione

1.1GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 2mA, 4V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-85

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