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UPA2373T1P-E4-A

UPA2373T1P-E4-A

Solo per riferimento

Numero parte UPA2373T1P-E4-A
PNEDA Part # UPA2373T1P-E4-A
Descrizione MOSFET 2N-CH 24V
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.186
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

UPA2373T1P-E4-A Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteUPA2373T1P-E4-A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
UPA2373T1P-E4-A, UPA2373T1P-E4-A Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 216,87 KB)
PDFUPA2373T1P-E4-A Datasheet Copertura
UPA2373T1P-E4-A Datasheet Pagina 2 UPA2373T1P-E4-A Datasheet Pagina 3 UPA2373T1P-E4-A Datasheet Pagina 4 UPA2373T1P-E4-A Datasheet Pagina 5 UPA2373T1P-E4-A Datasheet Pagina 6 UPA2373T1P-E4-A Datasheet Pagina 7 UPA2373T1P-E4-A Datasheet Pagina 8 UPA2373T1P-E4-A Datasheet Pagina 9 UPA2373T1P-E4-A Datasheet Pagina 10 UPA2373T1P-E4-A Datasheet Pagina 11

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UPA2373T1P-E4-A Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funzione FETLogic Level Gate, 2.5V Drive
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 4V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.3W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia4-XFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore4-EFLIP-LGA (1.62x1.62)

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

460pF @ 15V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

63mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

270pF @ 25V

Potenza - Max

1.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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Vishay Siliconix

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

135mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 15V

Potenza - Max

960mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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