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UP04878G0L

UP04878G0L

Solo per riferimento

Numero parte UP04878G0L
PNEDA Part # UP04878G0L
Descrizione MOSFET 2N-CH 50V .1A SSMINI-6
Produttore Panasonic Electronic Components
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.552
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 26 - dic 1 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

UP04878G0L Risorse

Brand Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteUP04878G0L
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
UP04878G0L, UP04878G0L Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 228,53 KB)
PDFUP04878G0L Datasheet Copertura
UP04878G0L Datasheet Pagina 2 UP04878G0L Datasheet Pagina 3

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UP04878G0L Specifiche

ProduttorePanasonic Electronic Components
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds12pF @ 3V
Potenza - Max125mW
Temperatura di esercizio125°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitoreSSMini6-F2

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Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

280mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Potenza - Max

150mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-563

SQ4961EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1140pF @ 25V

Potenza - Max

3.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

ECH8653-TL-H

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 4A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.5nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1280pF @ 10V

Potenza - Max

1.5W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

8-ECH

SLA5041

Sanken

Produttore

Sanken

Serie

-

Tipo FET

4 N-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

175mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 10V

Potenza - Max

5W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

12-SIP

Pacchetto dispositivo fornitore

12-SIP w/fin

SI4922BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

62nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2070pF @ 15V

Potenza - Max

3.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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