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UNR32A4G0L

UNR32A4G0L

Solo per riferimento

Numero parte UNR32A4G0L
PNEDA Part # UNR32A4G0L
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 100MW SSSMINI3
Produttore Panasonic Electronic Components
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.196
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

UNR32A4G0L Risorse

Brand Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteUNR32A4G0L
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato
Datasheet
UNR32A4G0L, UNR32A4G0L Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 233,1 KB)
PDFUNR32A4G0L Datasheet Copertura
UNR32A4G0L Datasheet Pagina 2 UNR32A4G0L Datasheet Pagina 3 UNR32A4G0L Datasheet Pagina 4

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UNR32A4G0L Specifiche

ProduttorePanasonic Electronic Components
Serie-
Tipo di transistorNPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)80mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)10 kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)47 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (Max)500nA
Frequenza - Transizione150MHz
Potenza - Max100mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-723
Pacchetto dispositivo fornitoreSSSMini3-F1

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

47 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

22 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

56 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-323

DRC5143T0L

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

150mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-85

Pacchetto dispositivo fornitore

SMini3-F2-B

PDTC143ZM,315

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

250mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-101, SOT-883

Pacchetto dispositivo fornitore

DFN1006-3

FJY3011R

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Resistenza - Base (R1)

22 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-89, SOT-490

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Resistenza - Base (R1)

4.7 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

200MHz

Potenza - Max

300mW

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