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ULN2802A

ULN2802A

Solo per riferimento

Numero parte ULN2802A
PNEDA Part # ULN2802A
Descrizione TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 12.336
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ULN2802A Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteULN2802A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array
Datasheet
ULN2802A, ULN2802A Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 298,56 KB)
PDFULN2802A Datasheet Copertura
ULN2802A Datasheet Pagina 2 ULN2802A Datasheet Pagina 3 ULN2802A Datasheet Pagina 4 ULN2802A Datasheet Pagina 5 ULN2802A Datasheet Pagina 6 ULN2802A Datasheet Pagina 7 ULN2802A Datasheet Pagina 8 ULN2802A Datasheet Pagina 9 ULN2802A Datasheet Pagina 10 ULN2802A Datasheet Pagina 11

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ULN2802A Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
Serie-
Tipo di transistor8 NPN Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)500mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic1.6V @ 500µA, 350mA
Corrente - Taglio collettore (Max)-
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce1000 @ 350mA, 2V
Potenza - Max2.25W
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio-20°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia18-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore18-DIP

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

270mV @ 30mA, 3A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

300 @ 1A, 2V

Potenza - Max

1.04W

Frequenza - Transizione

85MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-MSOP

DMMT5401-7-F

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP (Dual) Matched Pair

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

150V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

50nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 5V

Potenza - Max

300mW

Frequenza - Transizione

300MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-26

BC856SE6327BTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

250mW

Frequenza - Transizione

250MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT363-6

NST3906DXV6T1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

Potenza - Max

500mW

Frequenza - Transizione

250MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-563

HN1B04FU-GR,LF

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN, PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 6V

Potenza - Max

200mW

Frequenza - Transizione

150MHz

Temperatura di esercizio

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