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UH3B-M3/57T

UH3B-M3/57T

Solo per riferimento

Numero parte UH3B-M3/57T
PNEDA Part # UH3B-M3-57T
Descrizione DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO214AB
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.354
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

UH3B-M3/57T Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteUH3B-M3/57T
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
UH3B-M3/57T, UH3B-M3/57T Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 83,72 KB)
PDFUH3D-M3/57T Datasheet Copertura
UH3D-M3/57T Datasheet Pagina 2 UH3D-M3/57T Datasheet Pagina 3 UH3D-M3/57T Datasheet Pagina 4

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UH3B-M3/57T Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)100V
Corrente - Media Rettificata (Io)2.5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.05V @ 3A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)40ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F42pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 175°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

120V

Corrente - Media Rettificata (Io)

12A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

780mV @ 12A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 120V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-277, 3-PowerDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-277A (SMPC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

800mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 800mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

150ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AB

Pacchetto dispositivo fornitore

Sub SMA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

FR10M-TP

Micro Commercial Co

Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

500ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AB, SMC

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AB (SMC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

B140-M3/61T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

520mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

200µA @ 40V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AC (SMA)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

SBR3U60P1Q-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

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Tipo di diodo

Super Barrier

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

620mV @ 3A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 60V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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