UGS5J MNG
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| Numero parte | UGS5J MNG |
| PNEDA Part # | UGS5J-MNG |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB |
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.004 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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UGS5J MNG Risorse
| Brand | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | UGS5J MNG |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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UGS5J MNG Specifiche
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 5A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 2V @ 5A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 20ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB (D²PAK) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 875mV @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
