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UG4C-E3/54

UG4C-E3/54

Solo per riferimento

Numero parte UG4C-E3/54
PNEDA Part # UG4C-E3-54
Descrizione DIODE GEN PURP 150V 4A DO201AD
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.418
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

UG4C-E3/54 Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteUG4C-E3/54
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
UG4C-E3/54, UG4C-E3/54 Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 78,1 KB)
PDFUG4C-E3/54 Datasheet Copertura
UG4C-E3/54 Datasheet Pagina 2 UG4C-E3/54 Datasheet Pagina 3 UG4C-E3/54 Datasheet Pagina 4

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UG4C-E3/54 Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)150V
Corrente - Media Rettificata (Io)4A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If950mV @ 4A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)30ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 150V
Capacità @ Vr, F20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaDO-201AD, Axial
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-201AD
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

15mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 15mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

1ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

200nA @ 40V

Capacità @ Vr, F

2.1pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-123

Temperatura di esercizio - Giunzione

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

700mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

T-18, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

TS-1

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

UF5408-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

75ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

36pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AD, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-201AD

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

1SS413CT,L3F

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

20V

Corrente - Media Rettificata (Io)

50mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

550mV @ 50mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500nA @ 20V

Capacità @ Vr, F

3.9pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-882

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-882

Temperatura di esercizio - Giunzione

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

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-

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Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

85A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

20mA @ 400V

Capacità @ Vr, F

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