UES1303
Solo per riferimento
Numero parte | UES1303 | ||||||||||||||||||
PNEDA Part # | UES1303 | ||||||||||||||||||
Descrizione | DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL | ||||||||||||||||||
Produttore | Microsemi | ||||||||||||||||||
Prezzo unitario |
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Disponibile | 79 | ||||||||||||||||||
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
Consegna stimata | nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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UES1303 Risorse
Brand | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | UES1303 |
Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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UES1303 Specifiche
Produttore | Microsemi Corporation |
Serie | - |
Tipo di diodo | Standard |
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 150V |
Corrente - Media Rettificata (Io) | 6A |
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 925mV @ 6A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / Custodia | B, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura di esercizio - Giunzione | 175°C (Max) |
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Microsemi Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Vishay Semiconductor Diodes Division Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 2.5A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 150ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 400V Capacità @ Vr, F 44pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Taiwan Semiconductor Corporation Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 150V Corrente - Media Rettificata (Io) 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 975mV @ 5A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 150V Capacità @ Vr, F 70pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore ITO-220AC Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Vishay Semiconductor Diodes Division Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 30V Corrente - Media Rettificata (Io) 4A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 420mV @ 4A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 500µA @ 30V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 125°C |
Diodes Incorporated Produttore Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 790mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F 80pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore SMA Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 155°C |