TT8K11TCR
Solo per riferimento
| Numero parte | TT8K11TCR |
| PNEDA Part # | TT8K11TCR |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 3A TSST8 |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.532 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
TT8K11TCR Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | TT8K11TCR |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- TT8K11TCR Datasheet
- where to find TT8K11TCR
- Rohm Semiconductor
- Rohm Semiconductor TT8K11TCR
- TT8K11TCR PDF Datasheet
- TT8K11TCR Stock
- TT8K11TCR Pinout
- Datasheet TT8K11TCR
- TT8K11TCR Supplier
- Rohm Semiconductor Distributor
- TT8K11TCR Price
- TT8K11TCR Distributor
TT8K11TCR Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate, 4V Drive |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 71mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1A |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 10V |
| Potenza - Max | 1W |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SMD, Flat Lead |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSST |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 40A Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28.9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1947pF @ 25V Potenza - Max 64W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-1205, 8-LFPAK56 Pacchetto dispositivo fornitore LFPAK56D |
Produttore IXYS Serie - Tipo FET 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 180A Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 17-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore ISOPLUS-DIL™ |
Produttore Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo FET N and P-Channel Complementary Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Ta), 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.8nC @ 4.5V, 10.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1060pF @ 20V, 1154pF @ 20V Potenza - Max 1.8W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo FET N and P-Channel Complementary Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 680mA (Ta), 460mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.64nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V, 63pF @ 10V Potenza - Max 700mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore TSOT-26 |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.1A, 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 210mOhm @ 2.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 25V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
