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TSM6963SDCA RVG

TSM6963SDCA RVG

Solo per riferimento

Numero parte TSM6963SDCA RVG
PNEDA Part # TSM6963SDCA-RVG
Descrizione MOSFET 2 P-CH 20V 4.5A 8TSSOP
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 99.552
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 5 - apr 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

TSM6963SDCA RVG Risorse

Brand Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteTSM6963SDCA RVG
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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TSM6963SDCA RVG Specifiche

ProduttoreTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1500pF @ 10V
Potenza - Max1.14W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP

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Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 4.2V

Vgs (th) (Max) @ Id

220mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

SI4948BEY-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

IRF6723M2DTRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1380pF @ 15V

Potenza - Max

2.7W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DirectFET™ Isometric MA

Pacchetto dispositivo fornitore

DIRECTFET™ MA

SQUN702E-T1_GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

N and P-Channel, Common Drain

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V, 200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc), 20A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 60mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC, 14nC, 30.2nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1474pF, 1450pF, 1302pF @ 20V, 100V

Potenza - Max

48W (Tc), 60W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

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-

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