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TSM4953DCS RLG

TSM4953DCS RLG

Solo per riferimento

Numero parte TSM4953DCS RLG
PNEDA Part # TSM4953DCS-RLG
Descrizione MOSFET 2 P-CH 30V 4.9A 8SOP
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 117.792
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

TSM4953DCS RLG Risorse

Brand Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteTSM4953DCS RLG
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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TSM4953DCS RLG Specifiche

ProduttoreTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs28nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds745pF @ 15V
Potenza - Max2.5W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP

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Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

780pF @ 10V

Potenza - Max

800mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-74, SOT-457

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOP

IRF7103TRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

APTMC120AM25CT3AG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Silicon Carbide (SiC)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

113A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 80A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 4mA (Typ)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

197nC @ 20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3800pF @ 1000V

Potenza - Max

500W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

SI9936DY

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

525pF @ 15V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

APTC90H12T2G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

4 N-Channel (H-Bridge)

Funzione FET

Super Junction

Tensione Drain to Source (Vdss)

900V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

270nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6800pF @ 100V

Potenza - Max

250W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

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