TRS8E65C,S1Q
Solo per riferimento
| Numero parte | TRS8E65C,S1Q |
| PNEDA Part # | TRS8E65C-S1Q |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.910 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 5 - apr 10 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
TRS8E65C Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | TRS8E65C,S1Q |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- TRS8E65C,S1Q Datasheet
- where to find TRS8E65C,S1Q
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65C,S1Q
- TRS8E65C,S1Q PDF Datasheet
- TRS8E65C,S1Q Stock
- TRS8E65C,S1Q Pinout
- Datasheet TRS8E65C,S1Q
- TRS8E65C,S1Q Supplier
- Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
- TRS8E65C,S1Q Price
- TRS8E65C,S1Q Distributor
TRS8E65C Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 650V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 8A (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 8A |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 90µA @ 650V |
| Capacità @ Vr, F | 44pF @ 650V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-2 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-2L |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | 175°C (Max) |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Global Power Technologies Group Serie Amp+™ Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1700V Corrente - Media Rettificata (Io) 300A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.9V @ 300A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 540ns Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia ADD-A-PAK (3) Pacchetto dispositivo fornitore ADD-A-PAK® Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 2A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 600V Capacità @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AC, DO-15, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-204AC (DO-15) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore ON Semiconductor Serie SWITCHMODE™ Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 520V Corrente - Media Rettificata (Io) 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.15V @ 5A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 95ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 520V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-201AA, DO-27, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-201AD Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 30V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 550mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1mA @ 30V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-215AA, SMB Gull Wing Pacchetto dispositivo fornitore DO-215AA Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 150V Corrente - Media Rettificata (Io) 500mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 100mA Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 25nA @ 125V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione 175°C (Max) |
