TPIC1502DW
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| Numero parte | TPIC1502DW |
| PNEDA Part # | TPIC1502DW |
| Descrizione | MOSFET 20V 1.5A DMOS 24-DW |
| Produttore | Texas Instruments |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.002 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 24 - apr 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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TPIC1502DW Risorse
| Brand | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TPIC1502DW |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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TPIC1502DW Specifiche
| Produttore | |
| Serie | - |
| Tipo FET | - |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 1.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.1nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 98pF @ 14V |
| Potenza - Max | 2.86W |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 24-SOIC |
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Produttore Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 27A Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 525pF @ 25V Potenza - Max 32W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-1205, 8-LFPAK56 Pacchetto dispositivo fornitore LFPAK56D |
Produttore Diodes Incorporated Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate, 2.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 250mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15pF @ 25V Potenza - Max 120mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore EMT6 |
Produttore Advanced Linear Devices Inc. Serie EPAD®, Zero Threshold™ Tipo FET 4 N-Channel, Matched Pair Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 10.6V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 80mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 25Ohm Vgs (th) (Max) @ Id 10mV @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15pF @ 5V Potenza - Max 500mW Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 16-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 16-PDIP |
