TPH3208LSG
Solo per riferimento
| Numero parte | TPH3208LSG |
| PNEDA Part # | TPH3208LSG |
| Descrizione | GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN |
| Produttore | Transphorm |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.960 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
TPH3208LSG Risorse
| Brand | Transphorm |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | TPH3208LSG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- TPH3208LSG Datasheet
- where to find TPH3208LSG
- Transphorm
- Transphorm TPH3208LSG
- TPH3208LSG PDF Datasheet
- TPH3208LSG Stock
- TPH3208LSG Pinout
- Datasheet TPH3208LSG
- TPH3208LSG Supplier
- Transphorm Distributor
- TPH3208LSG Price
- TPH3208LSG Distributor
TPH3208LSG Specifiche
| Produttore | Transphorm |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 14A, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 300µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 8V |
| Vgs (massimo) | ±18V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 400V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 96W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 3-PQFN (8x8) |
| Pacchetto / Custodia | 3-PowerDFN |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Nexperia USA Inc. Serie TrenchMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 959pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 88W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
Produttore IXYS Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4000pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 400W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-263 (IXTA) Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Ta), 29A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 54mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1770pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 135W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore I-PAK Pacchetto / Custodia TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 51mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 674pF @ 20V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.14W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-252-3 Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Produttore ON Semiconductor Serie SuperFET® II Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 215nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 12225pF @ 400V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 592W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-247-3 Pacchetto / Custodia TO-247-3 |
