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TPCF8402(TE85L,F,M

TPCF8402(TE85L,F,M

Solo per riferimento

Numero parte TPCF8402(TE85L,F,M
PNEDA Part # TPCF8402-TE85L-F-M
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.2A VS-8
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.348
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 8 - apr 13 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

TPCF8402(TE85L Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteTPCF8402(TE85L,F,M
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
TPCF8402(TE85L, TPCF8402(TE85L Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 268,74 KB)
PDFTPCF8402(TE85L Datasheet Copertura
TPCF8402(TE85L Datasheet Pagina 2 TPCF8402(TE85L Datasheet Pagina 3 TPCF8402(TE85L Datasheet Pagina 4 TPCF8402(TE85L Datasheet Pagina 5 TPCF8402(TE85L Datasheet Pagina 6 TPCF8402(TE85L Datasheet Pagina 7 TPCF8402(TE85L Datasheet Pagina 8 TPCF8402(TE85L Datasheet Pagina 9 TPCF8402(TE85L Datasheet Pagina 10 TPCF8402(TE85L Datasheet Pagina 11

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TPCF8402(TE85L Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4A, 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds470pF @ 10V
Potenza - Max330mW
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitoreVS-8 (2.9x1.5)

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

64mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

460pF @ 6V

Potenza - Max

8.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® ChipFET™ Dual

Pacchetto dispositivo fornitore

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ON Semiconductor

Produttore

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Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

62V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.9nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 25V

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 32V

Potenza - Max

1.39W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Serie

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Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A, 7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

888pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

175A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 87.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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