TP65H035WS
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| Numero parte | TP65H035WS |
| PNEDA Part # | TP65H035WS |
| Descrizione | GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3 |
| Produttore | Transphorm |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 17.016 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 25 - apr 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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TP65H035WS Risorse
| Brand | Transphorm |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TP65H035WS |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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TP65H035WS Specifiche
| Produttore | Transphorm |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 46.5A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.8V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 400V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 156W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
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