Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

TK7A50D(STA4,Q,M)

TK7A50D(STA4,Q,M)

Solo per riferimento

Numero parte TK7A50D(STA4,Q,M)
PNEDA Part # TK7A50D-STA4-Q-M
Descrizione MOSFET N-CH 500V 7A TO-220SIS
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.452
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 9 - apr 14 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

TK7A50D(STA4 Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteTK7A50D(STA4,Q,M)
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • TK7A50D(STA4,Q,M) Datasheet
  • where to find TK7A50D(STA4,Q,M)
  • Toshiba Semiconductor and Storage

  • Toshiba Semiconductor and Storage TK7A50D(STA4,Q,M)
  • TK7A50D(STA4,Q,M) PDF Datasheet
  • TK7A50D(STA4,Q,M) Stock

  • TK7A50D(STA4,Q,M) Pinout
  • Datasheet TK7A50D(STA4,Q,M)
  • TK7A50D(STA4,Q,M) Supplier

  • Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
  • TK7A50D(STA4,Q,M) Price
  • TK7A50D(STA4,Q,M) Distributor

TK7A50D(STA4 Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serieπ-MOSVII
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.22Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds600pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)35W (Tc)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220SIS
Pacchetto / CustodiaTO-220-3 Full Pack

I prodotti a cui potresti essere interessato

TSM60N600CH C5G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

743pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

83W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-251 (IPAK)

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IXTY18P10T

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

TrenchP™

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V

Vgs (massimo)

±15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2100pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

83W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

AON6278

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

34A (Ta), 85A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

86nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4646pF @ 40V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

7.4W (Ta), 208W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (5x6)

Pacchetto / Custodia

8-PowerSMD, Flat Leads

BSO4420

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.8mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 80µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33.7nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2213pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SI7682DP-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1595pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

5W (Ta), 27.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SO-8

Venduto di recente

MPC9448ACR2

MPC9448ACR2

IDT, Integrated Device Technology

IC CLK BUFFER 1:12 350MHZ 32TQFP

SI4812BDY-T1-GE3

SI4812BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

MM3Z5V1ST1G

MM3Z5V1ST1G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 5.1V 300MW SOD323

MADL-011021-14150T

MADL-011021-14150T

M/A-Com Technology Solutions

RF DIODE PIN 6TDFN

AD623ANZ

AD623ANZ

Analog Devices

IC INST AMP 1 CIRCUIT 8DIP

749196321

749196321

Wurth Electronics

TRANSFORMER 14.2UH .97A SMD

GD25Q40CSIG

GD25Q40CSIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

NOR FLASH

AWM720P1

AWM720P1

Honeywell Sensing and Productivity Solutions

SENSOR AIRFLOW AMP 200 SLPM

T9AS1D12-15

T9AS1D12-15

TE Connectivity Potter & Brumfield Relays

RELAY GEN PURPOSE SPST 30A 15V

DEA1X3D470JN2A

DEA1X3D470JN2A

Murata

CAP CER 47PF 2KV SL RADIAL

HSMG-C680

HSMG-C680

Broadcom

LED GREEN CLEAR CHIP SMD R/A

FPF2125

FPF2125

ON Semiconductor

IC LOAD SWITCH ADVANCED SOT23