TK560A65Y,S4X
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| Numero parte | TK560A65Y,S4X |
| PNEDA Part # | TK560A65Y-S4X |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.064 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida) |
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TK560A65Y Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TK560A65Y,S4X |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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TK560A65Y Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | DTMOSV |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 560mOhm @ 3.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 240µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 300V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 30W |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220SIS |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 Full Pack |
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